RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
96
Por volta de -182% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
2584
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link