RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB 考慮すべき理由
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.7
    テスト平均値
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 96
    周辺 -182% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 1,336.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    96 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    2,725.2 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,336.0 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    438 left arrow 2584

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM