RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
96
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2584
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link