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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
9.8
13.0
写入速度,GB/s
4.6
9.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
2586
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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