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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
9.8
20.6
写入速度,GB/s
4.6
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
3593
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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