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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
总分
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
14.0
16.4
写入速度,GB/s
9.1
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2330
3372
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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