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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
52
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
24
读取速度,GB/s
2,614.5
15.7
写入速度,GB/s
1,145.9
12.3
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2517
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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