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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
52
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
46
读取速度,GB/s
2,614.5
11.6
写入速度,GB/s
1,145.9
9.1
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2571
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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