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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
66
左右 -78% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
37
读取速度,GB/s
2,775.5
14.5
写入速度,GB/s
1,557.9
11.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2847
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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