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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
66
左右 -230% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
20
读取速度,GB/s
2,775.5
19.0
写入速度,GB/s
1,557.9
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3549
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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