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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
46
左右 -35% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
34
读取速度,GB/s
4,937.3
15.4
写入速度,GB/s
2,061.2
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2583
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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