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AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
67
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
33
读取速度,GB/s
6.8
16.7
写入速度,GB/s
3.6
10.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2876
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
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