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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.6
16.1
写入速度,GB/s
9.5
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
2696
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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