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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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需要考虑的原因
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
12.6
17.6
写入速度,GB/s
9.5
14.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
3297
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
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