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Corsair CM2X1024-6400 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
比较
Corsair CM2X1024-6400 1GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
总分
Corsair CM2X1024-6400 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,254.8
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
54
左右 -46% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
37
读取速度,GB/s
4,715.6
15.1
写入速度,GB/s
2,254.8
12.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
857
2873
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
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