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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
61
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
16
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
61
读取速度,GB/s
16.0
17.2
写入速度,GB/s
10.3
8.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2096
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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