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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
13.5
18.4
写入速度,GB/s
9.3
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3723
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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