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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
13.5
15.0
写入速度,GB/s
9.3
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2946
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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