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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
13.5
9.1
写入速度,GB/s
9.3
6.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
1764
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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