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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
13.5
14.3
写入速度,GB/s
9.3
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2159
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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