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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
13.5
14.3
写入速度,GB/s
9.3
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2159
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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