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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
32
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
32
读取速度,GB/s
22.8
15.1
写入速度,GB/s
15.4
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3306
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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