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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
52
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
52
读取速度,GB/s
22.8
13.7
写入速度,GB/s
15.4
9.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2182
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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