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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
11.4
16.9
写入速度,GB/s
7.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3029
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
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