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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
16.7
写入速度,GB/s
7.4
10.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2876
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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