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Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
4,680.7
14.8
写入速度,GB/s
1,361.1
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
1967
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
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Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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