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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
37
读取速度,GB/s
17.9
15.1
写入速度,GB/s
14.7
12.2
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3705
2873
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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