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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
36
读取速度,GB/s
4,837.1
15.3
写入速度,GB/s
2,027.0
10.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2749
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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