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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
2,135.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
5,021.4
15.7
写入速度,GB/s
2,135.0
9.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2817
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
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