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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
14.3
16.6
写入速度,GB/s
10.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
2893
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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