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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.4
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.1
21.4
写入速度,GB/s
8.6
16.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3739
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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