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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
65
左右 -195% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
22
读取速度,GB/s
3,858.9
17.5
写入速度,GB/s
1,574.4
12.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
3083
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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