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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
NSITEXE Inc Visenta 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
NSITEXE Inc Visenta 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
58
读取速度,GB/s
12.1
18.0
写入速度,GB/s
8.6
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2025
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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