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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
比较
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB vs Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
总分
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
总分
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 45% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
60
读取速度,GB/s
14.3
18.0
写入速度,GB/s
9.1
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2667
2004
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB RAM的比较
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
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