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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
12.4
14.0
写入速度,GB/s
7.5
7.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2663
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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