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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
16.4
15.2
写入速度,GB/s
11.0
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3217
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
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Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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