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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
16.4
17.5
写入速度,GB/s
11.0
12.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2960
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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