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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
34
读取速度,GB/s
16.8
15.4
写入速度,GB/s
11.3
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2974
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
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