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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
77
读取速度,GB/s
18.2
13.6
写入速度,GB/s
11.5
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
1549
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
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Kingston XN205T-MIE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
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Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
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