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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
63
读取速度,GB/s
16.7
10.0
写入速度,GB/s
11.8
7.0
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
2162
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
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