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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
11.9
14.8
写入速度,GB/s
7.6
8.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2533
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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