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Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB vs PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

总分
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Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

总分
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB 需要考虑的原因
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.1 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5% 更高的带宽
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 67
    左右 -76% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 9.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    67 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    17.1 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 10.0
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2027 left arrow 2753

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB RAM的比较

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较

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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Kingston 9905700-072.A01G 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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