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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
5,987.5
19.1
写入速度,GB/s
2,160.7
17.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3666
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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