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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
56
左右 -81% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
8800
左右 1.93 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
31
读取速度,GB/s
4,878.3
17.9
写入速度,GB/s
2,475.5
14.2
内存带宽,mbps
8800
17000
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3538
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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