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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.1
17.2
写入速度,GB/s
4.7
13.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3001
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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