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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.2
15.7
写入速度,GB/s
8.6
11.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2779
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
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