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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs INTENSO 4GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.2
12.1
写入速度,GB/s
8.6
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2061
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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