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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Inmos + 256MB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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需要考虑的原因
Inmos + 256MB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.5
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
10600
左右 1.58 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
6.4
11.5
写入速度,GB/s
3.7
9.1
内存带宽,mbps
10600
16800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1129
2318
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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