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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Kingston 9905702-006.A00G 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.2
15.1
写入速度,GB/s
8.6
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2499
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
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