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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
30
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
24
读取速度,GB/s
12.5
13.7
写入速度,GB/s
7.8
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1917
2052
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
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