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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
比较
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
总分
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
11.3
16.4
写入速度,GB/s
5.5
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1913
3033
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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